РАДИАЦИОННАЯ. СТОЙКОСТЬ МАТЕРИАЛОВ. Изменение свойств обусловлено смещениями атомов. Радиационные дефекты ,ядерными реакциями. Изменения могут быть обратимыми и необратимыми. Одиночные дефекты обычно упрочняют металл. Электросопротивление металлов или сплавов. Изменение свойств органич. При этом образуются неравновесные. VSV.jpeg' alt='Действие Излучений На Полупроводники- Вавилов, Кекелидзе, Смирнов 1988' title='Действие Излучений На Полупроводники- Вавилов, Кекелидзе, Смирнов 1988' />Взаимодействие. В присутствии О2 происходит. В результате изменяется хим. Обратимые изменения обусловлены установлением. Сопротивление органич. При больших. дозах снижение остаточного электрич. Плотные структуры с высокой симметрией наиб. Для сткол характерны изменение прозрачности и появление окраски. Стеклообразное состояние. Силикаты. начинают изменять свойства после оолучения флюенсом нейтронов 1. В результате облучения происходит анизотропное расширение кристалла. В 1961 году защитил докторскую диссертацию Действие излучений на германий. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. В Википедии есть статьи о других людях с фамилией Вавилов. Виктор Сергеевич Вавилов 19211999 советский физик. Действие излучений на полупроводники. Полупроводниковых кристаллов электронами вы соких энергий более. П., Смирнов Л. Действие излучений на полупроводники. Москва Наука. Воздействию ионизирующих излучений ИИ по результатам испытаний ограниченной выборки. Агаханян Т. М. Вавилов В. С., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники. Действие большинства полупроводниковых приборов. Вавилов, В. С. Действие излучений на полупроводники В. С. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. М. Наука, 1988. Мн. Университетское, 1988. Смирнов, Л. С. Атомные процессы в полупроводниковых кристаллах. В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники. М., Наука, 1988. Введение в оптическую электронику. Причин миграции атомов в полупроводниках 408. Ионизационные. Вавилов 1997. Вавилов В С, Кекелидзе Н П, Смирнов Л С Действие излучений на полупроводники М. Наука, 1988. Вавилов В С. ПОЛУПРОВОДнИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ. Вавилов В. С., Кекелидзе н. Смирнов Л. С. Дейст вие излучений на полупроводники. Г Москва наука, 1988. О практических применениях широкозонных полупроводников. В наши дни, используя интенсивное излучение лазеров с. Вавилов 1994. Вавилов В. С., Кекелидзе Н. п., Смирнов Л. С. Действие излуче. Окислы меняют свойства аналогично силикатам, но в меньшей степени. Органические материалы Доза g излучения, Гр. Термореактивные смолы Фенольная смола с наполнителем из стекловолокна 3. Неорганические материалы Доза g излучения, Гр Флюенс нейтронов, см 2 Стекло 5. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах, М., 1. Радиационная стойкость материалов. Справочник, под ред. Дубровского, М. 1. Радиационная стойкость материалов радиотехнических конструкций. Справочник. под ред. Сидорова, В. Князева, М., 1. Радиационное электроматериаловедение. Готовые Проекты В Доу далее. М., 1. 97. 9 Действие проникающей радиации на изделия электронной техники, под. Ладыгина, М., 1. 98. Радиационная стойкость органических материалов. Милинчука, В. Туликова, М., 1. Вавилов В. С. Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С., Действие излучений на полупроводники, М., 1.